IRF6629TR1PBF 供应商
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IRF6629TR1PBF
品牌：InfineonTechnologies 封装/批号：DIRECTFET?MX/18+
IRF6629TR1PBF 属性参数
- 标准包装：1,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：HEXFET®
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：25V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：29A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：2.1 毫欧 @ 29A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.35V @ 100µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：51nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：4260pF @ 13V
- 功率 - 最大：2.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：DirectFET? 等容 MX
- 供应商设备封装：DIRECTFET? MX
- 包装：带卷 (TR)
- 配用：IRDC3622S-ND - BOARD EVALUATION W/IR3622MPBFIRDC3622D-ND - BOARD EVAL W/IR3622MPBF DUAL OUT
- 其它名称：IRF6629TR1PBFTR
IRF6629TR1PBF