IRF6626 供应商
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IRF6626
品牌：InfineonTechnologies 封装/批号：DIRECTFET?ST/18+
IRF6626 属性参数
- 标准包装：4,800
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：HEXFET®
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：16A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：5.4 毫欧 @ 16A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.35V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：29nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：2380pF @ 15V
- 功率 - 最大：2.2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：DirectFET? 等容 ST
- 供应商设备封装：DIRECTFET? ST
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：IRF6626TR