IRF640N 供应商
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IRF640N 原装现货
品牌：IR 封装/批号：TO263/2022 -
IRF640NPBF 原装现货
品牌：INFINEON 封装/批号：SOP-8/22+ -
IRF640NPBF 原装现货
品牌：INFINEON 封装/批号：/24+ -
IRF640NPBF 原装现货
品牌：INFINEON/英飞凌 封装/批号：TO-220/24+ -
IRF640NPBF
品牌：Infineon 封装/批号：TO-220/ -
IRF640N
品牌：isc/固电半导体 封装/批号：TO-220/2024+ -
IRF640N
品牌：IR 封装/批号：TO220/新批号 -
IRF640N
品牌：IOR 封装/批号：TO-220/23+ -
IRF640N
品牌：IR 封装/批号：TO220/11 -
IRF640N
品牌：infineon 封装/批号：标准封装/24+
IRF640N 属性参数
- 标准包装：50
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：HEXFET®
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：200V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：18A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：150 毫欧 @ 11A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：67nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：1160pF @ 25V
- 功率 - 最大：150W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
- 其它名称：*IRF640N
IRF640NL