IPP111N15N3 G 供应商
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IPP111N15N3 G
品牌：infineon 封装/批号：标准封装/24+ -
IPP111N15N3 G
品牌：INFINEON/英飞凌 封装/批号：/2022+
IPP111N15N3 G 属性参数
- 数据列表：IPB108N15N3 G,IPx111N15N3 G
- 标准包装：500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：OptiMOS™
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：150V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：83A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：11.1 毫欧 @ 83A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 160µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：55nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：3230pF @ 75V
- 功率 - 最大：214W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：PG-TO220-3
- 包装：管件
- 其它名称：SP000677860