IPP048N04N G 供应商
-
IPP048N04N G
品牌:infineon 封装/批号:标准封装/24+ -
IPP048N04N G
品牌:INFINEON/英飞凌 封装/批号:/2022+
IPP048N04N G 属性参数
- 数据列表:IPP048N04N G
- 标准包装:500
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:OptiMOS™
- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:标准型
- 漏极至源极电压(Vdss):40V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:70A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:4.8 毫欧 @ 70A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 200µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:41nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:3300pF @ 25V
- 功率 - 最大:79W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:PG-TO220-3
- 包装:管件
- 其它名称:IPP048N04NGXKSA1SP000648308