IPI200N25N3 G 供应商
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IPI200N25N3 G
品牌：infineon 封装/批号：标准封装/24+ -
IPI200N25N3 G
品牌：INFINEON/英飞凌 封装/批号：/2022+
IPI200N25N3 G 属性参数
- 数据列表：IPx200N25N3 G
- 标准包装：500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：OptiMOS™
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：250V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：64A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：20 毫欧 @ 64A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 270µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：86nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：7100pF @ 100V
- 功率 - 最大：300W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商设备封装：PG-TO262-3
- 包装：管件
- 其它名称：IPI200N25N3GAKSA1SP000714308