IPD65R660CFD 供应商
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IPD65R660CFD
品牌：infineon 封装/批号：标准封装/24+ -
IPD65R660CFD
品牌：INFINEO/ELNAF 封装/批号：TO-252/1909+ -
IPD65R660CFD
品牌：INFINEON/英飞凌 封装/批号：/2022+ -
IPD65R660CFDA
品牌：INFINEON 封装/批号：SMD/2018+ -
IPD65R660CFDAATMA1
品牌：INFINEON 封装/批号：PG-TO252-3/23+ -
IPD65R660CFDAATMA1
品牌：InfineonTechnologies 封装/批号：PG-TO252-3/18+ -
IPD65R660CFDATMA1
品牌：IPD65R660CFDATMA1 封装/批号：Infineon/连可连代销V
IPD65R660CFD 属性参数
- 数据列表：IPx65R660CFD
- 标准包装：2,500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：CoolMOS™
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：650V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：6A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：660 毫欧 @ 2.1A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：4.5V @ 200µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：22nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：615pF @ 100V
- 功率 - 最大：62.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：PG-TO252
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：IPD65R660CFDBTMA1SP000745024