IPD60R1K4C6 供应商
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IPD60R1K4C6
品牌：INFINEON 封装/批号：TO-220/21+ -
IPD60R1K4C6
品牌：InfineonTechnologies 封装/批号：PG-TO252-3/18+ -
IPD60R1K4C6
品牌：INFINEO/ELNAF 封装/批号：TO-252/1826+ -
IPD60R1K4C6
品牌：INFINEON/英飞凌 封装/批号：/2022+ -
IPD60R1K4C6ATMA1
品牌：INFINEON 封装/批号：PG-TO252-3/23+
IPD60R1K4C6 属性参数
- 数据列表：IPD60R1K4C6
- 产品培训模块：CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
- 标准包装：2,500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：CoolMOS™
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：600V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3.2A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.4 欧姆 @ 1.1A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：3.5V @ 90µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：9.4nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：200pF @ 100V
- 功率 - 最大：28.4W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：PG-TO252-3
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：IPD60R1K4C6TRSP000799134