IC元器件

IPD12CN10N G

参考价格：$0.95972

FET - 单

IPD12CN10N G 供应商

IPD12CN10N G 属性参数

  • 数据列表：IP(B,D,I,P)12CN10N G
  • 标准包装：2,500
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：OptiMOS™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：67A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：12.4 毫欧 @ 67A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 83µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：65nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：4320pF @ 50V
  • 功率 - 最大：125W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商设备封装：PG-TO252-3
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：SP000096476

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