IPB600N25N3 G 供应商
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IPB600N25N3 G
品牌：infineon 封装/批号：标准封装/24+ -
IPB600N25N3 G
品牌：INFINEON/英飞凌 封装/批号：/2022+
IPB600N25N3 G 属性参数
- 数据列表：IPx600N25N3 G
- 标准包装：1,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：OptiMOS™
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：250V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：25A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：60 毫欧 @ 25A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 90µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：29nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：2350pF @ 100V
- 功率 - 最大：136W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：PG-TO263-2
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：IPB600N25N3 G-NDIPB600N25N3 GTRSP000676408