IPB180N03S4L-H0 供应商
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IPB180N03S4L-H0
品牌：infineon 封装/批号：标准封装/24+ -
IPB180N03S4L-H0
品牌：INFINEON/英飞凌 封装/批号：/2022+
IPB180N03S4L-H0 属性参数
- 数据列表：IPB180N03S4L-H0
- 标准包装：1,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：OptiMOS™
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：180A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：0.95 毫欧 @ 100A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.2V @ 200µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：300nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：23000pF @ 25V
- 功率 - 最大：250W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB
- 供应商设备封装：PG-TO263-7-3
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：IPB180N03S4LH0ATMA1SP000555050