IMH20TR1 供应商
IMH20TR1 属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 系列：-
- 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：600mA
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：15V
- 电阻器 - 基极 (R1)（欧）：2.2k
- 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：100 @ 50mA，5V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：80mV @ 2.5mA，50mA
- 电流 - 集电极截止（最大）：-
- 频率 - 转换：-
- 功率 - 最大：300mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-74，SOT-457
- 供应商设备封装：SC-74R
- 包装：带卷 (TR)
IMH20TR1G