IMD9AT108 供应商
IMD9AT108 属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 系列：-
- 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器 - 基极 (R1)（欧）：10k
- 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：47k
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：68 @ 5mA，5V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA
- 电流 - 集电极截止（最大）：500nA
- 频率 - 转换：250MHz
- 功率 - 最大：300mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-74，SOT-457
- 供应商设备封装：SMT6
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：IMD9AT108TR