IGB30N60H3 供应商
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IGB30N60H3
品牌:Infineon/英飞凌 封装/批号:全新原装/23+ -
IGB30N60H3
品牌:Infineon/英飞凌 封装/批号:全新原装/23+ -
IGB30N60H3
品牌:Infineon/英飞凌 封装/批号:全新原装/23+ -
IGB30N60H3
品牌:Infineon/英飞凌 封装/批号:全新原装/23+ -
IGB30N60H3
品牌:infineon 封装/批号:标准封装/24+ -
IGB30N60H3
品牌:Infineon 封装/批号:标准封装/21+ -
IGB30N60H3
品牌:Infineon 封装/批号:标准封装/22+ -
IGB30N60H3
品牌:INFINEON/英飞凌 封装/批号:/2022+ -
IGB30N60H3
品牌:Infineon 封装/批号:标准封装/22+ -
IGB30N60H3ATMA1
品牌:InfineonTechnologies 封装/批号:PG-TO263-3/18+
IGB30N60H3 属性参数
- 数据列表:IGB30N60H3
- 标准包装:1,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:IGBT - 单路
- 系列:TrenchStop™
- IGBT 类型:沟道和场截止
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
- Vge, Ic时的最大Vce(开):2.4V @ 15V,30A
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大):60A
- 功率 - 最大:187W
- 输入类型:标准型
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:PG-TO263-3
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:IGB30N60H3ATMA1SP000852240