| 型号 | 品牌 | 封装/批号 |
|---|---|---|
| 江苏东导半导体有限公司 | Infineon/英飞凌 | 全新原装23+ |
| 上海慈轲科技有限公司 | Infineon/英飞凌 | 全新原装23+ |
| 上海乙幸科技有限公司 | Infineon/英飞凌 | 全新原装23+ |
| 江苏北阳电气有限公司 | Infineon/英飞凌 | 全新原装23+ |
| 昆山隆诚翔电子有限公司 | infineon | 标准封装24+ |
| 上海七中科技有限公司 | Infineon | 标准封装21+ |
| 上海硅威科技有限公司 | Infineon | 标准封装22+ |
| 上海悦海瑛泰科技有限公司 | INFINEON/英飞凌 | 2022+ |
| 上海信和达电子科技有限公司 | Infineon | 标准封装22+ |
| 上海国宇实业有限公司 | InfineonTechnologies | PG-TO263-318+ |
| 上海墨河电子科技有限公司 | Infineon Technologies | TO-263-3，D2Pak2 引线 + 接片，TO-263AB23+ |
IGB30N60H3 的相关参数
信息仅供参考，实际以PDF为准
- 数据列表：IGB30N60H3
- 标准包装：1,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：IGBT - 单路
- 系列：TrenchStop™
- IGBT 类型：沟道和场截止
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V
- Vge, Ic时的最大Vce（开）：2.4V @ 15V，30A