GB35XF120K 供应商
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GB35XF120K
品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division 封装/批号:标准封装/23+ -
GB35XF120K
品牌: 封装/批号:模块/NEW -
GB35XF120K
品牌: 封装/批号:模块/NEW -
GB35XF120K
品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division 封装/批号:标准封装/23+
GB35XF120K 属性参数
- 数据列表:GB35XF120K
- 标准包装:14
- 类别:半导体模块
- 家庭:IGBT
- 系列:-
- IGBT 类型:NPT
- 配置:三相反相器
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V
- Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,50A
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大):50A
- 电流 - 集电极截止(最大):100µA
- Vce 时的输入电容 (Cies):3.475nF @ 30V
- 功率 - 最大:284W
- 输入:标准型
- NTC 热敏电阻:无
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:ECONO2
- 供应商设备封装:-