APT150GT120JR 供应商
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APT150GT120JR
品牌:Microchip Technology 封装/批号:标准封装/23+ -
APT150GT120JR
品牌:美高森美 封装/批号:module/19+ -
APT150GT120JR
品牌:美高森美 封装/批号:标准封装/20+ -
APT150GT120JR
品牌:Microchip Technology 封装/批号:标准封装/23+ -
APT150GT120JR
品牌:MICROSEMI 封装/批号:MODULE/23+ -
APT150GT120JR
品牌:美高森美 封装/批号:SOT-227/22+
APT150GT120JR 属性参数
- 标准包装:10
- 类别:半导体模块
- 家庭:IGBT
- 系列:Thunderbolt IGBT®
- IGBT 类型:NPT
- 配置:单一
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V
- Vge, Ic时的最大Vce(开):3.7V @ 15V,150A
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大):170A
- 电流 - 集电极截止(最大):150µA
- Vce 时的输入电容 (Cies):9.3nF @ 25V
- 功率 - 最大:830W
- 输入:标准型
- NTC 热敏电阻:无
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:ISOTOP
- 供应商设备封装:ISOTOP?
- 其它名称:APT150GT120JRMIAPT150GT120JRMI-ND