FQP32N20C 供应商
FQP32N20C 属性参数
- 产品培训模块：High Voltage Switches for Power Processing
- 标准包装：50
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：QFET™
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：200V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：28A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：82 毫欧 @ 14A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：110nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：2200pF @ 25V
- 功率 - 最大：156W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220
- 包装：管件
- 其它名称：FQP32N20C-NDFQP32N20CFS