FDT86113LZ 供应商
-
FDT86113LZ
品牌：Onsemi 封装/批号：SOT-223-4 / TO-261-4/23+ -
FDT86113LZ
品牌：ORSEMI/安森美 封装/批号：SOT-223-4/TO-261-4/22+
FDT86113LZ 属性参数
- 标准包装：4,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：PowerTrench®
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：100V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3.3A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：100 毫欧 @ 3.3A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：6.8nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：315pF @ 50V
- 功率 - 最大：2.2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
- 供应商设备封装：SOT-223
- 包装：带卷 (TR)