FDS4435BZ 供应商
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FDS4435BZ 原装现货
品牌:Onsemi 封装/批号:SOP-8/2251 -
FDS4435BZ 原装现货
品牌:韦盛/VSEEI 封装/批号:SOP-8/24+ -
FDS4435BZ
品牌:Onsemi 封装/批号:SOIC-8/23+ -
FDS4435BZ
品牌:ON/安森美 封装/批号:SMD/21+ -
FDS4435BZ
品牌:FAIRCHILD 封装/批号:SOP8/22+授权代理 -
FDS4435BZ
品牌:ORSEMI/安森美 封装/批号:SOIC-8/22+ -
FDS4435BZ
品牌:FAIRCHILD 封装/批号:DIP3/23+ -
FDS4435BZ
品牌:FAIRCHILD 封装/批号:SOP-8/21+ -
FDS4435BZ
品牌:ONS 封装/批号:原厂原封装/新批号 -
FDS4435BZ
品牌: 封装/批号:/连可连代销V
FDS4435BZ 属性参数
- 标准包装:2,500
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:PowerTrench®
- FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET 特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:8.8A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:20 毫欧 @ 8.8A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:40nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:1845pF @ 15V
- 功率 - 最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOICN
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:FDS4435BZTR