FDD5612 供应商
FDD5612 属性参数
- 产品培训模块：High Voltage Switches for Power Processing
- 标准包装：2,500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：PowerTrench®
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：60V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：5.4A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：55 毫欧 @ 5.4A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：11nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：660pF @ 30V
- 功率 - 最大：1.6W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：TO-252-3
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：FDD5612-NDFDD5612TR