FDD18N20LZ 供应商
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FDD18N20LZ
品牌：Onsemi 封装/批号：DPAK-3/TO-252-3/23+ -
FDD18N20LZ
品牌：ON/安森美 封装/批号：SMD/21+ -
FDD18N20LZ
品牌：ORSEMI/安森美 封装/批号：DPAK-3/TO-252-3/22+
FDD18N20LZ 属性参数
- 标准包装：2,500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：UniFET™
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：200V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：16A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：125 毫欧 @ 8A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：40nC @ 200V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：1575pF @ 25V
- 功率 - 最大：89W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：带卷 (TR)