FCD4N60TM 供应商
FCD4N60TM 属性参数
- 标准包装：2,500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：SuperFET™
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：600V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3.9A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.2 欧姆 @ 2A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：16.6nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：540pF @ 25V
- 功率 - 最大：50W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：FCD4N60TMTR