DRV8833PWR 供应商
-
DRV8833PWR
品牌:TI 封装/批号:原厂原装/22+ -
DRV8833PWR
品牌:TI/德州仪器 封装/批号:TSSOP16/21+ -
DRV8833PWR
品牌:TI 封装/批号:TI/22+授权代理 -
DRV8833PWR
品牌:TI/德州仪器 封装/批号:TSSOP16/2022+ -
DRV8833PWR
品牌:TI 封装/批号:TSSOP28/21+ -
DRV8833PWR
品牌: 封装/批号:/23+
DRV8833PWR 属性参数
- 现有数量:1,350现货
- 价格:1 : ¥18.76000剪切带(CT)2,000 : ¥9.55181卷带(TR)
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)剪切带(CT)? 得捷定制卷带
- 产品状态:在售
- 电机类型 - 步进:双极性
- 电机类型 - AC,DC:有刷直流
- 功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级
- 输出配置:半桥(4)
- 接口:PWM
- 技术:NMOS
- 步进分辨率:-
- 应用:DC 电机,通用,螺线管
- 电流 - 输出:1.5A
- 电压 - 供电:2.7V ~ 10.8V
- 电压 - 负载:2.7V ~ 10.8V
- 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商器件封装:16-TSSOP
产品特性
- 双路 H 桥电流控制电机驱动器 可以驱动两部直流电机或一部步进电机 低金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 导通电阻:高侧 (HS) + 低侧 (LS) 360mΩ
- 可以驱动两部直流电机或一部步进电机
- 低金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 导通电阻:高侧 (HS) + 低侧 (LS) 360mΩ
- 输出电流(VM = 5V,25°C 时)采用 PWP/RTY 封装:每条 H 桥的 RMS 电流为 1.5A,峰值电流为 2A 采用 PW 封装:每条 H 桥的 RMS 电流为 500mA,峰值电流为 2A
- 采用 PWP/RTY 封装:每条 H 桥的 RMS 电流为 1.5A,峰值电流为 2A
- 采用 PW 封装:每条 H 桥的 RMS 电流为 500mA,峰值电流为 2A
- 可以将输出并联,以实现3A RMS 电流、4A 峰值电流(PWP 和 RTY 封装) 1A RMS 电流、4A 峰值电流(PW 封装)
- 3A RMS 电流、4A 峰值电流(PWP 和 RTY 封装)
- 1A RMS 电流、4A 峰值电流(PW 封装)
- 宽电源电压范围: 2.7V 至 10.8V
- PWM 绕组电流调节/电流限制
- 耐热增强型表面贴装封装
- 电池供电式玩具
- 服务点 (POS) 打印机
- 视频安保摄像机
- 办公自动化设备
- 游戏机
- 机器人
产品概述
DRV8833器件为玩具、打印机及其他机电一体化应用提供了一款双桥电机驱动器 解决方案。 该器件具有两个 H 桥驱动器,能够驱动两部直流刷式电机、一部双极步进电机、多个螺线管或其他感性负载。每个 H 桥的输出驱动器模块由配置为 H 桥的 N 沟道功率 MOSFET 组成,用于驱动电机绕组。每个 H 桥均具备调节或限制绕组电流的电路。该器件利用故障输出引脚实现内部关断功能,提供过流保护、短路保护、欠压锁定和过热保护。另外,还提供了一种低功耗休眠模式。DRV8833 采用带有 PowerPAD16 引脚超薄型四方扁平无引线
(WQFN) 封装(环保型:符合 RoHS 标准且不含锑/溴)。
DRV8833PWR 电路图
