DRV8353RHRGZR 供应商
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DRV8353RHRGZR
品牌：TI 封装/批号：原厂原装/22+ -
DRV8353RHRGZR
品牌：TI(德州仪器) 封装/批号：VQFN-48/2022+ -
DRV8353RHRGZR
品牌：TI 封装/批号：原厂原装/2318+
DRV8353RHRGZR 属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：2,500 : ￥28.73890卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：在售
- 电机类型 - 步进：多相
- 电机类型 - AC，DC：无刷 DC（BLDC）
- 功能：控制器 - 换向，方向管理
- 输出配置：半桥（3）
- 接口：硬件
- 技术：功率 MOSFET
- 步进分辨率：-
- 应用：无刷 DC（BLDC）
- 电流 - 输出：25mA
- 电压 - 供电：6V ~ 95V
- 电压 - 负载：9V ~ 75V
- 工作温度：-40°C ~ 125°C（TA）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：48-VFQFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：48-VQFN（7x7）
产品特性
- 9V 至 100V 三半桥栅极驱动器可选的集成降压稳压器 可选的三个低侧电流分流放大器
- 可选的集成降压稳压器
- 可选的三个低侧电流分流放大器
- 智能栅极驱动架构可调转换率控制，可实现优异的 EMI 性能VGS 握手和最小死区时间插入，可避免发生击穿50mA 至 1A 峰值拉电流 100mA 至 2A 峰值灌电流通过强下拉能力减小 dV/dt
- 可调转换率控制，可实现优异的 EMI 性能
- VGS 握手和最小死区时间插入，可避免发生击穿
- 50mA 至 1A 峰值拉电流
- 100mA 至 2A 峰值灌电流
- 通过强下拉能力减小 dV/dt
- 集成栅极驱动器电源高侧倍增电荷泵可实现 100% PWM 占空比控制低侧线性稳压器
- 高侧倍增电荷泵可实现 100% PWM 占空比控制
- 低侧线性稳压器
- 集成 LM5008A 降压稳压器6V 至 95V 工作电压范围2.5V 至 75V、350mA 输出能力
- 6V 至 95V 工作电压范围
- 2.5V 至 75V、350mA 输出能力
- 集成三个电流分流放大器可调增益（5、10、20、40 V/V）双向或单向支持
- 可调增益（5、10、20、40 V/V）
- 双向或单向支持
- 6x、3x、1x 和独立 PWM 模式支持 120° 有传感器运行
- 支持 120° 有传感器运行
- 提供 SPI 或硬件接口
- 低功耗睡眠模式（VVM = 48V 时为 20µA）
- 集成式保护 特性VM 欠压锁定 (UVLO)栅极驱动电源欠压 (GDUV)MOSFET VDS 过流保护 (OCP)MOSFET 击穿保护栅极驱动器故障 (GDF)热警告和热关断 (OTW/OTSD)故障状态指示器 (nFAULT)
- VM 欠压锁定 (UVLO)
- 栅极驱动电源欠压 (GDUV)
- MOSFET VDS 过流保护 (OCP)
- MOSFET 击穿保护
- 栅极驱动器故障 (GDF)
- 热警告和热关断 (OTW/OTSD)
- 故障状态指示器 (nFAULT)
产品概述
DRV835x 系列器件均为高度集成的栅极驱动器，适用于三相无刷直流 (BLDC) 电机 应用标准。这些 应用 包括 BLDC 电机的场定向控制 (FOC)、正弦电流控制和梯形电流控制。该器件型号提供了可选的集成式分流放大器以支持不同的电机控制方案，还提供了降压稳压器，以为栅极驱动器或外部控制器供电。DRV835x 通过采用智能栅极驱动 (SGD) 架构减少了 MOSFET 压摆率控制和保护电路通常所需要的外部组件数量。SGD 架构还可优化死区时间以防止击穿问题，在通过 MOSFET 压摆率控制技术降低电磁干扰 (EMI) 方面带来了灵活性，并可通过 VGS 监控器防止栅极短路问题。强大的栅极下拉电路有助于防止不必要的 dV/dt 寄生栅极开启事件。该系列器件支持各种 PWM 控制模式（6x、3x、1x 和独立模式），可简化与外部控制器的连接。这些模式可减少电机驱动器 PWM 控制信号所需的控制器输出数量。该系列器件还包括 1x PWM 模式，因此可通过内部阻塞换向表轻松对 BLDC 电机进行传感器式梯形控制。
DRV8353RHRGZR 电路图
