DRV8343HPHPRQ1 供应商
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DRV8343HPHPRQ1
品牌：TI 封装/批号：原厂原装/22+ -
DRV8343HPHPRQ1
品牌：TI(德州仪器) 封装/批号：HTQFP-48(7x7)/2022+ -
DRV8343HPHPRQ1
品牌：TI 封装/批号：原厂原装/2318+
DRV8343HPHPRQ1 属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1,000 : ￥28.58387卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q100
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：在售
- 电机类型 - 步进：多相
- 电机类型 - AC，DC：无刷 DC（BLDC）
- 功能：控制器 - 换向，方向管理
- 输出配置：半桥（3）
- 接口：PWM，SPI
- 技术：NMOS
- 步进分辨率：-
- 应用：汽车级
- 电流 - 输出：10mA
- 电压 - 供电：5.5V ~ 60V
- 电压 - 负载：5.5V ~ 60V
- 工作温度：-40°C ~ 125°C（TA）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：48-PowerTQFP
- 供应商器件封装：48-HTQFP（7x7）
产品特性
- 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准 温度等级 1：-40°C ≤ TA ≤ 125°C
- 温度等级 1：-40°C ≤ TA ≤ 125°C
- 3 个独立半桥栅极驱动器 专用源极 (SHx) 与漏极 (DLx) 引脚支持独立 MOSFET 控制可驱动 3 个高侧和 3 个低侧 N 通道 MOSFET (NMOS)
- 专用源极 (SHx) 与漏极 (DLx) 引脚支持独立 MOSFET 控制
- 可驱动 3 个高侧和 3 个低侧 N 通道 MOSFET (NMOS)
- 智能栅极驱动架构 可调转换率控制1.5mA 至 1A 峰值源电流3mA 至 2A 峰值灌电流
- 可调转换率控制
- 1.5mA 至 1A 峰值源电流
- 3mA 至 2A 峰值灌电流
- 支持 100% 占空比的栅极驱动器电荷泵
- 3 个集成式电流检测放大器 (CSA) 可调增益（5、10、20、40 V/V）双向或单向支持
- 可调增益（5、10、20、40 V/V）
- 双向或单向支持
- 提供 SPI (S) 和硬件 (H) 接口
- 6x、3x、1x 和独立的 PWM 模式
- 支持 3.3V 和 5V 逻辑输入
- 电荷泵输出可驱动反向电源保护 MOSFET
- 3.3V、30mA 线性稳压器
- 集成式保护 特性 VM 欠压锁定 (UVLO)电荷泵欠压 (CPUV)电池短路 (SHT_BAT)接地短路 (SHT_GND)MOSFET 过流保护 (OCP)栅极驱动器故障 (GDF)热警告和热关断 (OTW/OTSD)故障状态指示器 (nFAULT)
- VM 欠压锁定 (UVLO)
- 电荷泵欠压 (CPUV)
- 电池短路 (SHT_BAT)
- 接地短路 (SHT_GND)
- MOSFET 过流保护 (OCP)
- 栅极驱动器故障 (GDF)
- 热警告和热关断 (OTW/OTSD)
- 故障状态指示器 (nFAULT)
产品概述
DRV8343-Q1 器件是一款适用于三相应用的 集成式栅极驱动器。此器件具有三个半桥栅极驱动器，每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。专用源极与漏极引脚支持对电磁阀应用进行独立 MOSFET 控制。DRV8343-Q1 使用集成式电荷泵为高侧 MOSFET 生成足够的栅极驱动电压，并使用线性稳压器为低侧 MOSFET 生成足够的栅极驱动电压。此智能栅极驱动架构支持高达 1A 的峰值栅极驱动拉电流和 2A 的峰值栅极驱动灌电流。DRV8343-Q1 可由单一电源供电，支持适用于栅极驱动器的 5.5 至 60V 宽输入电源电压范围。6x、3x、1x 和独立输入 PWM 模式可简化与控制器电路的连接。栅极驱动器和器件的配置设置具有高度可配置性，可通过 SPI 或硬件 (H/W) 接口实现。 DRV8343-Q1 器件集成了三个低侧电流检测放大器，可在驱动级的全部三相位上进行双向电流检测。提供了低功耗睡眠模式，实现较低的静态电流消耗。针对欠压锁定、电荷泵故障、MOSFET 过流、MOSFET 短路、相位节点电源和接地短路、栅极驱动器故障和过热情况提供内部保护功能。故障状况及故障详情可通过 SPI 器件型号的器件寄存器显示在 nFAULT 引脚上。
DRV8343HPHPRQ1 电路图
