DRV8306HRSMR 供应商
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DRV8306HRSMR
品牌：TI 封装/批号：原厂原装/22+ -
DRV8306HRSMR
品牌：TI 封装/批号：VQFN-32/24+ -
DRV8306HRSMR
品牌：TI(德州仪器) 封装/批号：VQFN-32(4x4)/2022+ -
DRV8306HRSMR
品牌： 封装/批号：TSSOP/23+
DRV8306HRSMR 属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥18.44000剪切带（CT）3,000 : ￥9.36101卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 电机类型 - 步进：多相
- 电机类型 - AC，DC：无刷 DC（BLDC）
- 功能：控制器 - 换向，方向管理
- 输出配置：半桥（3）
- 接口：PWM
- 技术：功率 MOSFET
- 步进分辨率：-
- 应用：通用
- 电流 - 输出：300mA
- 电压 - 供电：6V ~ 38V
- 电压 - 负载：0V ~ 5.5V
- 工作温度：-40°C ~ 125°C（TA）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：32-VFQFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：32-VQFN（4x4）
产品特性
- 6V 至 38V、三个半桥栅极驱动器，集成了 3 个霍尔比较器40V 绝对最大额定值针对 12V 和 24V 直流电源轨进行了全面优化驱动高侧和低侧 N 沟道 MOSFET支持 100% PWM 占空比
- 40V 绝对最大额定值
- 针对 12V 和 24V 直流电源轨进行了全面优化
- 驱动高侧和低侧 N 沟道 MOSFET
- 支持 100% PWM 占空比
- 智能栅极驱动架构通过可调压摆率控制实现更出色的 EMI 和 EMC 性能通过 VGS 握手和最小死区时间插入方法避免击穿15mA 至 150mA 峰值拉电流 30mA 至 300mA 峰值灌电流
- 通过可调压摆率控制实现更出色的 EMI 和 EMC 性能
- 通过 VGS 握手和最小死区时间插入方法避免击穿
- 15mA 至 150mA 峰值拉电流
- 30mA 至 300mA 峰值灌电流
- 通过霍尔传感器集成了换向120° 梯形电流控制支持低成本霍尔元件通过转速输出信号 (FGOUT) 实现闭环速度控制
- 120° 梯形电流控制
- 支持低成本霍尔元件
- 通过转速输出信号 (FGOUT) 实现闭环速度控制
- 集成栅极驱动器电源高侧电荷泵低侧线性稳压器
- 高侧电荷泵
- 低侧线性稳压器
- 逐周期电流限制
- 支持 1.8V、3.3V 和 5V 逻辑输入
- 低功耗睡眠模式
- 3.3V、30mA 线性稳压器
- 紧凑型 VQFN 封装和外形尺寸
- 集成式保护 特性VM 欠压闭锁 (UVLO)电荷泵欠压 (CPUV)MOSFET 过流保护 (OCP)栅极驱动器故障 (GDF)热关断 (OTSD)故障状态指示器 (nFAULT)
- VM 欠压闭锁 (UVLO)
- 电荷泵欠压 (CPUV)
- MOSFET 过流保护 (OCP)
- 栅极驱动器故障 (GDF)
- 热关断 (OTSD)
- 故障状态指示器 (nFAULT)
产品概述
DRV8306 器件是一款集成式栅极驱动器，适用于三相无刷直流 (BLDC) 电机 应用。此器件具有三个半桥栅极驱动器，每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。DRV8306 器件使用集成电荷泵为高侧 MOSFET 生成合适的栅极驱动电压，并使用线性稳压器为低侧 MOSFET 生成合适的栅极驱动电压。智能栅极驱动架构支持高达 150mA 的峰值栅极驱动拉电流和 300mA 的峰值栅极驱动灌电流以及 15mA rms 栅极驱动电流能力。此器件为梯形 BLDC 电机提供内部 120° 换向。DRV8306 器件具有三个霍尔比较器，它们使用来自霍尔元件的输入进行内部换向。可通过 PWM 引脚对电机相电压的占空比进行调整。通过额外提供的制动 (nBRAKE) 和方向 (DIR) 引脚可制动 BLDC 电机和设置电机方向。使用提供的 3.3V、30mA 低压降 (LDO) 稳压器可为外部控制器和霍尔元件供电。此外提供额外的 FGOUT 信号来衡量换向频率。该信号可用于实现 BLDC 电机的闭环控制。 提供了低功耗睡眠模式，以通过关断大部分的内部电路实现较低的静态电流消耗。针对欠压锁定、电荷泵故障、MOSFET 过流、MOSFET 短路、栅极驱动器故障和过热等情况，提供内部保护功能。故障情况通过 nFAULT 引脚指示。
DRV8306HRSMR 电路图
