DMN26D0UFB4-7 供应商
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DMN26D0UFB4-7 原装现货
品牌：DIODES/美台 封装/批号：/22+ -
DMN26D0UFB4-7
品牌：DIODES 封装/批号：SMD/23+ -
DMN26D0UFB4-7
品牌：DIODES 封装/批号：NA/22+授权代理 -
DMN26D0UFB4-7
品牌：Diodes 封装/批号：原厂原封装/新批号 -
DMN26D0UFB4-7
品牌：DIODES 封装/批号：DFN/23+
DMN26D0UFB4-7 属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：-
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：230mA
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：3 欧姆 @ 100mA，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：-
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：14.1pF @ 15V
- 功率 - 最大：350mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：3-XFDFN
- 供应商设备封装：3-DFN1006H4（1.0x0.6）
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：DMN26D0UFB4-7DITR