DMN100-7-F 供应商
-
DMN100-7-F
品牌：D 封装/批号：SOT23-3/2024 -
DMN100-7-F
品牌： 封装/批号：SC-59SOT2/23+
DMN100-7-F 属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：-
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.1A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：240 毫欧 @ 1A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 1mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：5.5nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：150pF @ 10V
- 功率 - 最大：500mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SC-59-3
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：DMN100-FDITR