DMG4435SSS-13 供应商
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DMG4435SSS-13
品牌：DIODES 封装/批号：NA/2022+ -
DMG4435SSS-13
品牌：DIODES 封装/批号：TSSOP/23+
DMG4435SSS-13 属性参数
- 标准包装：2,500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：-
- FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：7.3A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：16 毫欧 @ 11A，20V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：35.4nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：1614pF @ 15V
- 功率 - 最大：1.3W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SOP
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：DMG4435SSS-13DITR