CSD97376Q4M 供应商
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CSD97376Q4M
品牌：TI 封装/批号：原厂原装/22+ -
CSD97376Q4M
品牌：TI 封装/批号：VSON8/22+授权代理 -
CSD97376Q4M
品牌：TI(德州仪器) 封装/批号：VSON-CLIP-8/2022+ -
CSD97376Q4M
品牌：TI 封装/批号：VSON8/21+ -
CSD97376Q4M
品牌： 封装/批号：/23+
CSD97376Q4M 属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥16.22000剪切带（CT）2,500 : ￥8.26392卷带（TR）
- 系列：NexFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 输出配置：半桥
- 应用：同步降压转换器
- 接口：PWM
- 负载类型：电感
- 技术：功率 MOSFET
- 导通电阻（典型值）：-
- 电流 - 输出/通道：20A
- 电流 - 峰值输出：45A
- 电压 - 供电：4.5V ~ 5.5V
- 电压 - 负载：4.5V ~ 24V
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 特性：自举电路
- 故障保护：击穿，UVLO
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-PowerVFDFN
- 供应商器件封装：8-VSON（3.5x4.5）
产品特性
- 在 15A 的电流下具有 90% 的系统效率
- 最大额定持续电流 20A，峰值电流 45A
- 高频运行（高达 2MHz）
- 高密度 3.5mm x 4.5mm SON 封装
- 超低电感封装
- 系统已优化的印刷电路板 (PCB) 封装
- 超低静态 (ULQ) 电流模式
- 兼容 3.3V 和 5V PWM 信号
- 支持 FCCM 的二极管仿真模式
- 输入电压高达 24V
- 三态 PWM 输入
- 集成型自举二极管
- 击穿保护
- 符合 RoHS 环保标准 – 无铅引脚镀层
- 无卤素
产品概述
CSD97376Q4M NexFET™功率器件是经过高度优化的设计，用于高功率、高密度场合的同步降压转换器。这个产品集成了驱动器集成电路 (IC) 和 NexFET 技术来完善功率级开关功能。此驱动器 IC 具有一个内置可选二极管仿真功能，此功能可启用断续传导模式 (DCM) 运行来提升轻负载效率。此外，驱动器 IC 支持 ULQ 模式，此模式支持针对 Windows™8 的联网待机功能。借助于三态 PWM 输入，静态电流可减少至 130µA，并支持立即响应。当 SKIP# 保持在三态时，电流可减少至 8µA（恢复切换通常需要 20µs）。该组合在小型 3.5mm × 4.5mm 外形尺寸封装中实现高电流、高效率和高速开关器件。此外，PCB 封装已经过优化，可帮助减少设计时间并简化总体系统设计。
CSD97376Q4M 电路图
