CSD25201W15 供应商
-
CSD25201W15
品牌:Texas Instruments 封装/批号:/21+ -
CSD25201W15
品牌:TI/德州仪器 封装/批号:DSBGA9/21+ -
CSD25201W15
品牌:TI/德州仪器 封装/批号:DSBGA9/2022+ -
CSD25201W15
品牌: 封装/批号:/23+
CSD25201W15 属性参数
- 产品培训模块:NexFET MOSFET Technology
- 视频文件:NexFET Power BlockPowerStack? Packaging Technology Overview
- 标准包装:1
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:NexFET™
- FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET 特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:40 毫欧 @ 2A,4.5V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):1.1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:5.6nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:510pF @ 10V
- 功率 - 最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:9-UFBGA,DSBGA
- 供应商设备封装:9-DSBGA(1.8x1.8)
- 包装:?
- 其它名称:296-27609-6