CSD18503Q5A 供应商
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CSD18503Q5A
品牌：TI 封装/批号：原厂原装/22+ -
CSD18503Q5A
品牌：TI 封装/批号：/23+ -
CSD18503Q5A
品牌：TI/德州仪器 封装/批号：DFN56/21+ -
CSD18503Q5A
品牌：CSD18503Q5A 封装/批号：TI/连可连代销V -
CSD18503Q5A
品牌：TI 封装/批号：TSSOP/23+ -
CSD18503Q5AT
品牌：TI(德州仪器) 封装/批号：VSONP-8/2022+
CSD18503Q5A 属性参数
- 标准包装：1
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：NexFET™
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：40V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：100A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：4.3 毫欧 @ 22A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.3V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：32nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：2640pF @ 20V
- 功率 - 最大：3.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-PowerTDFN
- 供应商设备封装：8-SON（5x6）
- 包装：?
- 其它名称：296-30571-6
产品特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 逻辑电平
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
- 直流 - 直流转换
- 次级侧同步整流
- 电池电机控制
产品概述
这款 40V、3.4mΩ、5mm x 6mm SON NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
CSD18503Q5A 电路图
