CSD17555Q5A 供应商
-
CSD17555Q5A
品牌:TI 封装/批号:原厂原装/22+ -
CSD17555Q5A
品牌:TI 封装/批号:TSSOP/23+
CSD17555Q5A 属性参数
- 标准包装:1
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:NexFET™
- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:100A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:2.7 毫欧 @ 25A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):1.9V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:28nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:4650pF @ 15V
- 功率 - 最大:3W
- 安装类型:*
- 封装/外壳:*
- 供应商设备封装:*
- 包装:*
- 其它名称:296-34772-6
产品特性
- 超低 Qg和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅端子镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 小外形无引线 (SON) 5mm × 6mm 塑料封装
产品概述
此 NexFET 功率 MOSFET 被设计用于在功率转换应用中大大降低功率损失。
CSD17555Q5A 电路图
