CSD17308Q3 供应商
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CSD17308Q3 原装现货
品牌：TI 封装/批号：QFN8/1747+ -
CSD17308Q3
品牌：TI 封装/批号：原厂原装/22+ -
CSD17308Q3
品牌：TI 封装/批号：SON8/22+授权代理 -
CSD17308Q3
品牌：TI 封装/批号：QFN8/21+ -
CSD17308Q3
品牌：TI 封装/批号：SON8/22+ -
CSD17308Q3
品牌：集成电路IC 封装/批号：TI/连可连代销V -
CSD17308Q3
品牌：TI 封装/批号：/2021+ -
CSD17308Q3
品牌：TI 封装/批号：TSSOP/23+
CSD17308Q3 属性参数
- 产品培训模块：NexFET MOSFET Technology
- 视频文件：NexFET Power BlockPowerStack? Packaging Technology Overview
- 标准包装：1
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：NexFET™
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：47A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：10.3 毫欧 @ 10A，8V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.8V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：5.1nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：700pF @ 15V
- 功率 - 最大：2.7W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TDFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装：8-SON
- 包装：?
- 其它名称：296-27210-6
产品特性
- 针对 5V 栅极驱动器进行了优化
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅端子镀层
- 符合 RoHS
- 无卤素
- VSON 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
产品概述
此 30V、8.2mΩ、3.3mm × 3.3mm VSON NexFET™功率 MOSFET 旨在用于最大程度降低功率转换 应用 中的损耗并针对 5V 栅极驱动器 应用进行了优化。
CSD17308Q3 数据手册
CSD17308Q3T
CSD17308Q3 电路图
