CSD17304Q3 供应商
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CSD17304Q3
品牌：TI 封装/批号：原厂原装/22+ -
CSD17304Q3
品牌：TI 封装/批号：/23+ -
CSD17304Q3
品牌：TI 封装/批号：/2021+ -
CSD17304Q3
品牌：TI 封装/批号：TSSOP/23+
CSD17304Q3 属性参数
- 产品培训模块：NexFET MOSFET Technology
- 视频文件：NexFET Power BlockPowerStack? Packaging Technology Overview
- 标准包装：1
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：NexFET™
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：56A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：7.5 毫欧 @ 17A，8V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.8V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：6.6nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：955pF @ 15V
- 功率 - 最大：2.7W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TDFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装：8-SON
- 包装：?
- 其它名称：296-27509-6
产品特性
- Optimized for 5V Gate Drive
- Ultralow Qg and Qgd
- Low Thermal Resistance
- Avalanche Rated
- Pb Free Terminal Plating
- RoHS Compliant
- Halogen Free
- SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package
- APPLICATIONS Notebook Point of Load Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom, and Computing Systems
- Notebook Point of Load
- Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom, and Computing Systems
产品概述
The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5V gate drive applications.