CSD16415Q5 供应商
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CSD16415Q5
品牌：TI 封装/批号：NA/2022+ -
CSD16415Q5
品牌：TI 封装/批号：原厂原装/22+ -
CSD16415Q5
品牌：TI/德州仪器 封装/批号：VSON-CLIP-8/21+ -
CSD16415Q5
品牌：TI 封装/批号：原封/23+ -
CSD16415Q5
品牌：TI(德州仪器) 封装/批号：TSSOP/23+ -
CSD16415Q5T
品牌：TI(德州仪器) 封装/批号：VSON-CLIP-8/2022+
CSD16415Q5 属性参数
- 标准包装：1
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：NexFET™
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：25V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：100A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.15 毫欧 @ 40A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.9V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：29nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：4100pF @ 12.5V
- 功率 - 最大：3.2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TDFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装：8-SON-EP（5x6）
- 包装：?
- 其它名称：296-30139-6
产品特性
- 超低栅极电荷(Qg)和栅漏电荷(Qgd)
- 极低接通电阻
- 低热阻性
- 额定雪崩能量
- 无铅端子电镀
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
产品概述
此 NexFET 功率MOSFET已被设计成在功率转换应用中大大降低功率损失。
CSD16415Q5 电路图
