CSD16327Q3 供应商
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CSD16327Q3
品牌：TI 封装/批号：SON8/22+ -
CSD16327Q3
品牌：TI 封装/批号：VSON-8/24+ -
CSD16327Q3
品牌：TI 封装/批号：TSSOP/23+ -
CSD16327Q3T
品牌：TI(德州仪器) 封装/批号：VSON-CLIP-8/2022+
CSD16327Q3 属性参数
- 标准包装：1
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：NexFET™
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：25V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：60A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：4 毫欧 @ 24A，8V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：8.4nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：1300pF @ 12.5V
- 功率 - 最大：3W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TDFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装：8-SON-EP（3.3x3.3）
- 包装：?
- 其它名称：296-30138-6
产品特性
- 针对 5V 栅极驱动器进行优化
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
产品概述
这款 25V、3.4mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度降低功率转换应用中的功率损耗并经优化以适用于 5V 栅极驱动器 应用。
CSD16327Q3 电路图
