CSD16325Q5 供应商
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CSD16325Q5
品牌：TI 封装/批号：原厂原装/22+ -
CSD16325Q5
品牌：TI/德州仪器 封装/批号：VSON8/21+ -
CSD16325Q5
品牌：TI/德州仪器 封装/批号：VSON8/2022+ -
CSD16325Q5
品牌： 封装/批号：/23+
CSD16325Q5 属性参数
- 产品培训模块：NexFET MOSFET Technology
- 视频文件：NexFET Power BlockPowerStack? Packaging Technology Overview
- 标准包装：1
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：NexFET™
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：25V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：100A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：2 毫欧 @ 30A，8V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：25nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：4000pF @ 12.5V
- 功率 - 最大：3.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TDFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装：8-SON
- 包装：?
- 其它名称：296-24964-6
产品特性
- 针对 5V 栅极驱动进行了优化
- 超低 Q g和 Q gd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 5mm × 6mm SON 塑料封装
产品概述
NexFET™ 功率 MOSFET 旨在更大限度地减少功率转换应用中的损耗，并针对 5V 栅极驱动应用进行了优化。