CSD16323Q3 供应商
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CSD16323Q3
品牌：TI 封装/批号：原厂原装/22+ -
CSD16323Q3
品牌：TI 封装/批号：SMD/2018+ -
CSD16323Q3
品牌：TI 封装/批号：/23+ -
CSD16323Q3
品牌：TI 封装/批号：8-VSON/1918 -
CSD16323Q3
品牌：TI 封装/批号：SON8/22+授权代理 -
CSD16323Q3
品牌：TI 封装/批号：VSON-Clip-8/21+ -
CSD16323Q3
品牌： 封装/批号：/连可连代销V -
CSD16323Q3
品牌： 封装/批号：TSSOP/23+
CSD16323Q3 属性参数
- 产品培训模块：NexFET MOSFET Technology
- 视频文件：NexFET Power BlockPowerStack? Packaging Technology Overview
- 标准包装：1
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：NexFET™
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：25V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：60A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：4.5 毫欧 @ 24A，8V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：8.4nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：1300pF @ 12.5V
- 功率 - 最大：3W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TDFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装：8-SON
- 包装：?
- 其它名称：296-24522-6
产品特性
- Optimized for 5-V Gate Drive
- Ultra-Low Qg and Qgd
- Low Thermal Resistance
- Avalanche Rated
- Lead-Free Terminal Plating
- RoHS Compliant
- Halogen Free
- SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package
- APPLICATIONS Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking, Telecom and Computing Systems Optimized for Control or Synchronous FET Applications
- Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking, Telecom and Computing Systems
- Optimized for Control or Synchronous FET Applications
产品概述
This 25-V, 3.8-mΩ, 3.3 × 3.3-mm SON NexFET™ power MOSFET
has been designed to minimize losses in power conversion and optimized for 5-V gate drive
applications.
CSD16323Q3 电路图
