CMF20120D 属性参数
- 产品培训模块：1200V SiC Mosfet Overview
- 视频文件：Cree's Silicon Carbide Mosfets -- Another Geek Moment
- 标准包装：30
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：Z-FET™
- FET 型：SiCFET N 通道，碳化硅
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：1200V（1.2kV）
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：33A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：110 毫欧 @ 20A，20V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 1mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：90.8nC @ 20V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：1915pF @ 800V
- 功率 - 最大：150W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-247-3
- 供应商设备封装：TO-247-3
- 包装：管件
CMF20120D