BUX85G 属性参数
- 标准包装：50
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：2A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：450V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 200mA，1A
- 电流 - 集电极截止（最大）：200µA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：30 @ 100mA，5V
- 功率 - 最大：50W
- 频率 - 转换：4MHz
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
- 其它名称：BUX85GOS
BUX85G