BSZ42DN25NS3 G 供应商
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BSZ42DN25NS3 G
品牌：infineon 封装/批号：标准封装/24+ -
BSZ42DN25NS3 G
品牌：INFINEON/英飞凌 封装/批号：/2022+ -
BSZ42DN25NS3 G
品牌：INFINEON 封装/批号：to-319/23
BSZ42DN25NS3 G 属性参数
- 数据列表：BSZ42DN25NS3 G
- 标准包装：5,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：OptiMOS™
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：250V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：5A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：425 毫欧 @ 2.5A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 13µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：5.5nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：430pF @ 100V
- 功率 - 最大：33.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-PowerTDFN
- 供应商设备封装：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：BSZ42DN25NS3 G-NDBSZ42DN25NS3GATMA1SP000781796