BSZ060NE2LS 供应商
-
BSZ060NE2LS
品牌:INFINEON 封装/批号:??μ/21 -
BSZ060NE2LS
品牌:infineon 封装/批号:标准封装/24+ -
BSZ060NE2LS
品牌:INFINEON 封装/批号:S3O8 (3x3mm style Su/22+授权代理 -
BSZ060NE2LS
品牌:INFINEON/英飞凌 封装/批号:/21+ -
BSZ060NE2LS
品牌:INFINEON/英飞凌 封装/批号:/2022+ -
BSZ060NE2LS
品牌: 封装/批号:TSSOP/23+ -
BSZ060NE2LSATMA1
品牌:INFINEON 封装/批号:PG-TSDSON-8/23+ -
BSZ060NE2LSATMA1
品牌:Infineon 封装/批号:原厂原封装/新批号 -
BSZ060NE2LSATMA1
品牌:INFINEON 封装/批号:Trans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R/22+
BSZ060NE2LS 属性参数
- 数据列表:BSZ060NE2LS
- 标准包装:5,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:OptiMOS™
- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:标准型
- 漏极至源极电压(Vdss):25V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:12A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:6 毫欧 @ 20A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:9.1nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:670pF @ 12V
- 功率 - 最大:2.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-PowerTDFN
- 供应商设备封装:PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:BSZ060NE2LS-NDBSZ060NE2LSATMA1SP000776122