BST52,115 属性参数
- 特色产品：NXP - I2C Interface
- 标准包装：1
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN - 达林顿
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：1A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：80V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：1.3V @ 500µA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大）：50nA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：2000 @ 500mA，10V
- 功率 - 最大：1.3W
- 频率 - 转换：200MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-243AA
- 供应商设备封装：SOT-89-3
- 包装：®
- 其它名称：568-6969-6
BST52,115