BSS670S2L H6327 供应商
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BSS670S2L H6327
品牌：INFINEON/英飞凌 封装/批号：SOT23/21+ -
BSS670S2L H6327
品牌：INFINEON/英飞凌 封装/批号：/2022+ -
BSS670S2L H6327
品牌：INFINEON 封装/批号：to-224/23 -
BSS670S2L H6327
品牌：INFINEON 封装/批号：TSSOP/23+
BSS670S2L H6327 属性参数
- 数据列表：BSS670S2L
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：OptiMOS™
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：55V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：540mA
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：650 毫欧 @ 270mA，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 2.7µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：2.26nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：75pF @ 25V
- 功率 - 最大：360mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：PG-SOT23-3
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：BSS670S2L H6327-NDBSS670S2LH6327XTSA1SP000928950