BSS215P H6327 供应商
-
BSS215P H6327
品牌：INFINEON/英飞凌 封装/批号：/2022+
BSS215P H6327 属性参数
- 数据列表：BSS215P
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：OptiMOS™
- FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.5A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：150 毫欧 @ 1.5A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：600mV @ 11µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：3.6nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：346pF @ 15V
- 功率 - 最大：500mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：PG-SOT23-3
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：BSS215P H6327-NDBSS215PH6327XTSA1SP000928938