BSC010NE2LSI 供应商
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BSC010NE2LSI
品牌：INFINEON 封装/批号：SMD/23+ -
BSC010NE2LSI
品牌：INFINEON/英飞凌 封装/批号：/2022+ -
BSC010NE2LSI
品牌： 封装/批号：TSSOP/23+ -
BSC010NE2LSI
品牌：infineon 封装/批号：标准封装/24+ -
BSC010NE2LSI
品牌：INFINEON TECHNOLOGIES N.A.CORP 封装/批号：PG-TDSON-8/22+授权代理 -
BSC010NE2LSIATMA1
品牌：INFINEON 封装/批号：PG-TDSON-8/23+ -
BSC010NE2LSIATMA1
品牌：BSC010NE2LSIATMA1 封装/批号：Infineon/连可连代销V -
BSC010NE2LSIATMA1
品牌：INFINEON 封装/批号：/2021+
BSC010NE2LSI 属性参数
- 数据列表：BSC010NE2LSI
- 标准包装：5,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：OptiMOS™
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：25V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：100A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.05 毫欧 @ 30A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：59nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：4200pF @ 12V
- 功率 - 最大：96W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-PowerTDFN
- 供应商设备封装：PG-TDSON-8
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：BSC010NE2LSI-NDBSC010NE2LSIATMA1SP000854376