BSB056N10NN3 G 供应商
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BSB056N10NN3 G
品牌：infineon 封装/批号：标准封装/24+ -
BSB056N10NN3 G
品牌：INFINEON/英飞凌 封装/批号：/2022+
BSB056N10NN3 G 属性参数
- 数据列表：BSB056N10NN3 G
- 标准包装：5,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：OptiMOS™
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：100V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：83A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：5.6 毫欧 @ 30A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：3.5V @ 100µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：74nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：5500pF @ 50V
- 功率 - 最大：78W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：3-WDSON
- 供应商设备封装：MG-WDSON-2，CanPAK M?
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：BSB056N10NN3 G-NDBSB056N10NN3GXUMA1SP000604540