BSB012NE2LX 供应商
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BSB012NE2LX
品牌：INFINEON 封装/批号：TSSOP/23+ -
BSB012NE2LXI
品牌：INFINEON 封装/批号：MG-WDSON-2/2022+ -
BSB012NE2LXI
品牌：infineon 封装/批号：标准封装/24+ -
BSB012NE2LXIXUMA1
品牌：Infineon 封装/批号：原厂原封装/新批号
BSB012NE2LX 属性参数
- 数据列表：BSB012NE2LX
- 标准包装：5,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：OptiMOS™
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：25V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：37A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.2 毫欧 @ 30A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：67nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：4900pF @ 12V
- 功率 - 最大：2.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：3-WDSON
- 供应商设备封装：MG-WDSON-2，CanPAK M?
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：BSB012NE2LX-NDBSB012NE2LXXUMA1SP000756344